TSMC表示,2纳米芯片生产于2025年开始,高NA光刻机将于2024年到货

据台湾省媒体报道,台湾省半导体制造公司(TSMC)的目标是在2025年量产其2纳米(nm)半导体制造工艺。TSMC目前正准备增加其3纳米节点的产量,这被视为世界上最先进的芯片制造技术之一。该公司代表告诉台湾省媒体,它将通过下一代技术继续引领全球半导体行业。

TSMC还将在2024年收购ASML的高纳EUV芯片制造机。这些细节由TSMC负责R&D和技术的高级副总裁Y.J. Mii博士分享,并由联合新闻(UDN)报道。芯片制造行业的一个关键约束,往往会成为决定一家公司能否获得领先竞争对手的关键因素。

先进的7 nm及更小产品的制造技术需要使用EUV在小范围内打印数十亿个微小电路。目前,世界上只有TSMC、三星和英特尔公司在使用——然而,芯片制造技术的进一步进步,涉及电路尺寸的进一步缩小,将使芯片制造商难以继续使用这些机器。

在芯片制造的下一阶段,制造商将转向镜头更大的机器。这些被称为高NA(数字孔径), TSMC将于2024年收到。从这个角度来看,这些机器将用于制造2nm制造工艺的芯片,因为该高管还强调这项技术将在2025年进入量产。该时间表证实了该公司今年早些时候在美国举行的第一次技术研讨会上提供的早期估计。该公司正在美国建立一个全新的工厂,暂定目标是到2024年前生产5纳米芯片。

TSMC表示,2纳米芯片生产于2025年开始,高NA光刻机将于2024年到货 第2张

自从在美国举办会议以来,台积电还在亚洲举行了其他活动以分享2纳米制造技术的细节。这些活动显示,截至目前,该公司的目标是使其新技术比目前最新的3纳米技术提高10%至15%的性能;此外,新技术还能降低25%至30%的功耗。

另一位台积电高管透露,当他的公司在2024年获得这些机器时,最初它们将只用于研发和合作目的,然后再转入大规模生产。获得先进的机器只是获得这些有价值的资本资产的第一步,因为企业随后必须与机器的唯一制造商–荷兰ASML公司合作,将机器调整到他们想要的要求。

这些最新的细节是在本月早些时候举行的台积电台湾技术论坛上由高管们分享的,在该活动中,他们还概述了3纳米芯片制造的进展。他们概述了第一代3纳米技术有望在今年生产,而被称为N3E的先进版本将在明年投入生产线。

台积电的3纳米技术今年一直处于几个争议的中心,因为它的竞争对手三星公司抢先宣布在今年上半年进行大规模生产,而且市场报告称,由于英特尔公司的订单问题,台积电将削减资本支出。

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